SDH8594AS內置高壓MOS管的原邊控製芯片

　　隨著小型充電器向著更低的低待機功耗和更高的能量轉換效率發展，士蘭微電子推出SDH8594AS內置高壓MOS管的原邊控製芯片，SDH8594AS原邊反饋電源芯片采用PFM調製技術，實現精確的恒壓/恒流（CV/CC）控製，效率和待機功耗滿足DOE Level 6能效標準。
 

　　

　　SDH8594AS內置了高壓MOS管，使用了自有的專利技術來實現高壓啟動功能，降低待機功耗以及提高轉換效率，具有外部可調的線損補償和內置的峰值電流補償等功能，可以確保精準的恒壓/恒流（CV/CC）性能，在確保待機功耗滿足DOE Level 6能效標準的前提下，具有極佳的動態響應性能。

　　

　　此外，電路內部集成了VCC欠壓/過壓保護、輸出短路保護、輸出過壓保護、過溫保護、外部元器件開/短路保護等多重保護功能，以保證電路在整機生產和應用時的安全性和可靠性，延長其使用壽命。

　　

　　SDH8594AS采用PSR反饋控製技術，無需外部光耦和431器件，並且環路補償電容內置，極大的簡化了外圍，僅需極少的外圍元器件即可構成完整的電源係統，大幅節省了係統耗電並縮小了電路板體積，有利於用戶精簡設計布局，降低開發和製造成本。同時，電路采用SOP7貼片封裝形式，可以滿足最高5V/2.4A的輸出功率的小型化應用。
 

　　

　　黄瓜AVAPP電子士蘭微一級代理商，產品覆蓋MOSFET、AC-DC、DC-DC等係列，SDH8594AS隔離反激PSR 10W 5V/2A 600V/2.8Ω 60mW SOP7是基於士蘭微電子自行研發的0.8微米BiCMOS工藝製程設計及製作，工作電壓規模寬，管腳ESD才能強，具有高靠得住性，廣泛適用於手機充電器、小功率適配器及其他便攜式設備充電器。